PHƯƠNG PHÁP PHỤC HỒI TẤM KÊ (VỈ KÊ) CARBUA SILIC

Tổng Quan:

Phương pháp này đề cập đến việc sửa chữa tấm (vỉ kê) carbua silic (SiC) nhằm giảm chi phí và giải quyết hiện tượng bám dính ở chân sản phẩm. Quá trình bao gồm các bước: xử lý thô tấm SiC, phun cát bề mặt, nung nóng, phun lớp phủ alumina và cuối cùng nung trong lò để thu được sản phẩm hoàn thiện.

Mô Tả:

Đây là một phương pháp kỹ thuật sửa chữa tấm SiC. Phương pháp này đặc biệt hữu ích trong việc phục hồi tấm SiC, giúp kéo dài tuổi thọ và cải thiện chất lượng sản phẩm.

Công Nghệ:

Tấm kê (vỉ kê) SiC được sử dụng rộng rãi trong sản xuất gốm sứ nung ở nhiệt độ cao (1100-1450°C). Sản phẩm này chịu nhiệt, chịu tải tốt và có khả năng dẫn nhiệt cao, chống sốc nhiệt hiệu quả. Tuy nhiên, giá thành cao, khoảng 500.000 VNĐ (trên 20 USD) mỗi tấm, và tuổi thọ trung bình chỉ khoảng 12-14 tháng khiến chi phí sản xuất tăng cao. Hiện tượng bám dính giữa sản phẩm và tấm kê, cùng với sự xuống cấp của tấm kê là những vấn đề phổ biến.

Những Thiếu Sót Trong Quy Trình Hiện Tại:

  1. Bong Tróc Lớp Phủ: Lớp phủ oxit nhôm thường bong ra sau 2-3 lần nung, gây ra các khuyết tật như cặn xỉ trên bề mặt tấm kê.
  2. Dính bột chống dính Oxit Nhôm: Nếu không sửa chữa đúng cách, sản phẩm rất dễ bị dính bột oxit nhôm trong quá trình nung. Điều này dẫn đến sự lão hóa nhanh chóng của tấm SiC, khiến chi phí sửa chữa tăng cao và hiệu quả không tốt bằng việc mua mới.

Giải Pháp Đề Xuất:

Phương pháp này giới thiệu một loại tấm carborundum hỗn hợp, chủ yếu để giải quyết vấn đề oxy hóa trong môi trường giàu oxy. Nó bao gồm chất nền cacbua silic và chất cốt, với lớp cốt và bề mặt liên kết lớp SiC thô, thấm lẫn nhau. Thành phần chính của lớp phủ là α-Al2O3 và ZrO2, giúp ngăn ngừa bong tróc và bảo vệ chất nền SiC khỏi oxy hóa ở nhiệt độ cao (1400°C).

Tóm Tắt Phương Pháp Sửa Chữa:

Phương pháp này cung cấp một giải pháp để phục hồi tấm kê, giảm chi phí và khắc phục các khuyết tật bám dính của sản phẩm. Bằng cách sử dụng lớp phủ alumina và xử lý nhiệt độ cao, phương pháp này giúp kéo dài tuổi thọ và duy trì chất lượng của tấm SiC.